Bei 3D V-NAND (auch V-NAND oder 3D NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.