Das Buch "Zinc Oxide Thin-Film Transistors" bietet eine umfassende Untersuchung der Eigenschaften und Anwendungen von Zinkoxid (ZnO) als n-Typ-Halbleiter in der Technologie der Dünnfilmtransistoren (TFT). Zinkoxid hat sich aufgrund seiner hervorragenden optischen, elektrischen und katalytischen Eigenschaften als vielversprechend erwiesen. In dieser Publikation werden die Methoden zur Herstellung von ZnO-Dünnfilmen durch reaktive Radiofrequenz-Magnetronsputtern beschrieben, wobei der Prozess bei Raumtemperatur durchgeführt wird. Ein zentrales Anliegen dieser Arbeit ist es, die stabilen halbleitenden Eigenschaften der ZnO-Filme zu gewährleisten, die als aktiver Kanal in TFTs dienen. Darüber hinaus wird die Rolle von intrinsischen Punktdefekten in Bezug auf die Leistung und Stabilität der Geräte untersucht, ebenso wie die Auswirkungen der Sauerstoffadsorption auf die Eigenschaften der TFTs. Diese Forschung ist von Bedeutung für die Weiterentwicklung von transparenten Halbleitermaterialien und deren Anwendungen in verschiedenen technologischen Bereichen.