Intel 7 statt 10 nm Enhanced SuperFin: Chipgigant mit neuem Namensschema
Intel erfindet ein neues Namensschema für seine Fertigungstechniken. Aus dem «10-nm-Enhanced-SuperFin» wird «Intel 7». Dadurch soll technologische Parität mit den Konkurrenten TSMC und Samsung suggeriert werden.
In Intels neuem Namenssystem heisst die 10-nm-Enhanced-SuperFin-Fertigung neu Intel 7. Die kommenden Alder-Lake-S-Prozessoren des Unternehmens sollen auf dieser Fertigungstechnik basieren. Intel verzichtet bei dem Namensschema bewusst auf die Angabe von Nanometer. So will das Unternehmen den Konsumentinnen zeigen, dass die Fertigung eine ähnliche Transistorendichte aufweist wie eine 7-nm-Fertigung, beispielsweise von TSMC.
Auf 7 folgt 4
Nachfolger von Intel 7 wird dann Intel 4. Dabei handelt es sich um eine 7-Nanometer-Fertigungstechnologie, die eine Leistungssteigerung pro Watt von 20 Prozent gegenüber Intel 7 erreichen soll. Diese Fertigungstechnik wird gemäss Intel mit den Meteor-Lake- und Granite-Rapids-Prozessoren Mitte 2022 Einzug finden. Intel wählt bewusst die 4 im Namensschema, da erwartet wird, dass TSMC und Samsung 2022 mit ihren Fertigungstechniken mit einer Transistorendichte unter 5 nm starten werden.
Mit Intel 3 soll 2023 eine weitere Fertigungstechnik folgen, die eine Leistungssteigerung pro Watt von 18 Prozent gegenüber Intel 4 aufweisen soll. 2024 folgt dann schliesslich Intel 20A. Das A steht für Ångström. 1 Ångström entspricht 0,1 nm, also soll die Bezeichnung eine 2-nm-Fertigung suggerieren. Hier will Intel ein neues Transistorendesign einführen, RibbonFET genannt.
Mit Intel 20A geht der Chipgigant auch eine neue Partnerschaft ein: Qualcomm, bekannt für seine Snapdragon SoCs, lässt seine Chips ab 2024 bei Intel fertigen.
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